三星HBM3E内存通过英伟达认证，加速AI工作负载部署 存通该产品采用12层堆叠设计

目前三星已开始向英伟达批量供货，存通三星电子宣布其第五代高带宽内存HBM3E已正式通过英伟达的过英工作认证测试，HBM3E可在高负载AI训练任务中稳定运行，伟达业内分析认为，认证预计下半年搭载于H200及后续GPU中。加速为全球AI芯片供应链提供更多选择。负载部署 来源：三星官方新闻 三星表示，存通该产品采用12层堆叠设计，过英工作单颗容量达36GB，伟达显著降低延迟。认证此举将打破SK海力士在HBM市场的加速垄断格局，将用于下一代AI加速器的负载关键内存栈。相比上一代HBM3能效提升约20%。部署通过优化热管理工艺和先进的存通硅通孔技术，数据传输速率高达9.6Gbps，